RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1501–1506 (Mi phts7437)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Тандемные фотовольтаические ячейки с композитным соединительным слоем

В. В. Травкинa, Г. Л. Пахомовab, А. Ю. Лукьяновa, П. А. Стужинc

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Ивановский государственный химико-технологический университет, 153000 Иваново, Россия

Аннотация: Изготовлены тандемные фотовольтаические ячейки, содержащие последовательно соединенные субъячейки состава “оксид-низкомолекулярный полупроводник–металл”. В качестве низкомолекулярных полупроводников использовались два красителя фталоцианинового ряда, SubPc и PcVO, металл – Al или Mg : Ag. Для соединения субъячеек применялся полупрозрачный композитный металл/оксидный слой Al/MoO$_x$. Дополнительно слой оксида молибдена MoO$_x$ использовался как анодный буфер во фронтальной субъячейке, а фторид лития LiF – в качестве подкатодного слоя во фронтальной и тыловой ячейках. При оптимизации толщин неорганических слоев эдс холостого хода $V_{\mathrm{oc}}$ тандемных ячеек может достигать 1.6 В за счет полного сложения вкладов каждой из субъячеек при широком спектральном покрытии от 300 до 1000 нм. Коэффициент заполнения тандемной ячейки не хуже чем в моноячейках (изготовленных отдельно) или в субъячейках, измеренных в составе тандемной структуры.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:11, 1453–1458

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025