RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1507–1515 (Mi phts7438)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с $\delta$-легированными слоями

Е. С. Оболенскаяa, А. Ю. Чуринa, С. В. Оболенскийa, А. В. Мурельb, В. И. Шашкинb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 607680 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследована радиационная стойкость планарных диодов Ганна. На основании результатов измерений импульсных вольт-амперных характеристик и компьютерного моделирования показано, что использование $\delta$-слоев легирующей примеси способствует повышению уровня радиационной стойкости планарных диодов на порядок по сравнению с обычными “объемными” диодами. Результаты работы позволили сформулировать методические указания, позволяющие сократить объем расчетно-экспериментальных исследований, без существенного снижения их информативности.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:11, 1459–1467

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025