Сверхизлучательное усиление терагерцового излучения при возбуждении плазмонных мод в инвертированном графене с планарным распределенным брэгговским микрорезонатором

Теоретически показано, что условие стимулированной генерации терагерцового излучения плазмонами в графене с планарным распределенным брэгговским резонатором может быть реализовано на двух различных частотах для каждой плазмонной моды. Такое поведение связано со сверхизлучательным характером коллективной плазмонной моды, вследствие чего радиационное затухание плазмонов растет суперлинейно с увеличением мощности накачки. В результате кривые зависимостей радиационного затухания и плазмонного усиления от мощности накачки пересекаются в двух точках, соответствующих разным режимам генерации.