Фотоэлектрические характеристики гетероструктуры In$_{2}$O$_{3}{-}$SiO$_{2}{-}n$-Si с внутренним усилением фототока

Исследование ВАХ и кинетики фотоответа ПТДП структур In$_{2}$O$_{3}{-}$SiO$_{2}{-}n$-Si с толщинами диэлектрика ${4\div6}$ нм показали, что, несмотря на сильное начальное обеднение, в этих структурах возможна реализация внутреннего усиления фототока, обусловленная особенностями протекания туннельных электронного и дырочного токов через диэлектрик. Коэффициент усиления достигал значений ${10\div30}$.
На переднем фронте осциллограмм фототока обнаружена аномалия в виде «ступеньки», связанная со сменой механизма переноса заряда через диэлектрик (первоначально дырочного, а затем электронного). Обнаружено фотоиндуцированное переключение структуры, вызванное разогревом туннелирующих через диэлектрик электронов.
Показано, что полученные зависимости качественно отражают динамику зонной диаграммы гетероструктуры.