RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1521–1530 (Mi phts7440)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO

М. М. Мездрогинаa, М. В. Еременкоa, В. С. Левицкийb, В. Н. Петровa, Е. И. Теруковab, Е. М. Кайдашевc, Н. В. Лянгузовc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
c Южный Федеральный университет, 344090 Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Исследовано влияние параметров нанесения пленок ZnO на различные материалы подложек при использовании магнетронного распыления на переменном токе в газовой смеси аргона и кислорода. Наблюдалось явление самоорганизации, приводящее к неизменности морфологии поверхности пленок ZnO при варьировании материалов подложки и параметров нанесения. Параметры спектров макро- и микрофотолюминесценции исследованных пленок ZnO незначительно отличались от параметров спектров фотолюминесценции объемных кристаллов ZnO, полученных методом гидротермального роста. Наличие интенсивного излучения с малой величиной FWHM в разных областях спектра дает возможность рассматривать пленки ZnO, полученные магнетронным распылением, легированные РЗИ, как перспективный материал при создании оптоэлектронных приборов, работающих в широком спектральном диапазоне. Возможность реализации магнитного упорядочения при легировании РЗИ существенно расширяет функциональные возможности пленок ZnO.
Параметры спектров фотолюминесценции наностержней ZnO определяются геометрическими параметрами, концентрацией и типом введенных примесей.

Поступила в редакцию: 17.02.2015
Принята в печать: 05.03.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:11, 1473–1482

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025