RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1574–1577 (Mi phts7448)

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке

А. Ю. Егоровab, А. В. Бабичевab, Л. Я. Карачинскийab, И. И. Новиковab, Е. В. Никитинаc, M. Tchernychevad, А. Н. Софроновe, Д. А. Фирсовe, Л. Е. Воробьевe, Н. А. Пихтинa, И. С. Тарасовa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Institut d’Electronique Fondamentale, University Paris Sud XI, 91405 Orsay cedex, France
e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Реализована генерация многопериодных квантово-каскадных лазеров, содержащих 60 каскадных периодов, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии в спектральном диапазоне 5.6–5.8 мкм при токовой накачке. Несмотря на относительно короткую длину резонатора и большие потери на вывод излучения, достигнута генерация в температурном диапазоне 80–220 K. Плотность тока на пороге генерации при температуре 220 K не превышает 4 кА/см$^2$ с характеристической температурой $T_0$ =123 K.

Поступила в редакцию: 29.04.2015
Принята в печать: 06.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:11, 1527–1530

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025