Динамика рекомбинации носителей в полупроводниковой лазерной структуре

Методом оптической ориентации исследована динамика рекомбинации носителей заряда в активном слое лазерной диодной структуры при комнатной температуре. Зависимость степени оптической ориентации электронных спинов от плотности накачки объясняется насыщением каналов безызлучательной рекомбинации. Определено время захвата неравновесных электронов на центры рекомбинации ($\tau_e$ = 5 $\cdot$ 10$^{-9}$ с). Приводится оценка температуры неравновесных электронов при нагреве излучением He–Ne-лазера.