RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1585–1592 (Mi phts7450)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах

А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab, Е. В. Волковаa, Д. Г. Павельевa

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Проведен анализ процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при попадании быстрого нейтрона в область пространственного заряда полупроводникового диода. Рассчитан импульс тока, формируемый вторичными электронами, и определен спектр сигнала, генерируемого диодом (детектором) при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления. Обсуждается возможность экспериментального детектирования радиационно-индуцированных переходных процессов пикосекундной длительности.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 15.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:12, 1537–1544

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025