RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1593–1597 (Mi phts7451)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Температурный скейлинг в квантовом эффекте Холла в квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром

Ю. Г. Араповa, С. В. Гудинаa, В. Н. Неверовa, С. М. Подгорныхab, М. Р. Поповa, Г. И. Харусa, Н. Г. Шелушининаa, М. В. Якунинab, Н. Н. Михайловcd, С. А. Дворецкийce

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
d Новосибирский государственный университет
e Томский государственный университет

Аннотация: Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла на гетероструктурах HgTe/HgCdTe с инвертированным энергетическим спектром (ширина квантовой ямы HgTe $d$ = 20.3 нм) при $T$ = 2–50 K в магнитных полях до $B$ = 9 Тл. Из проведенного анализа температурных зависимостей проводимости в области перехода между первым и вторым плато квантового эффекта Холла показана реализуемость режима скейлинга для квантового фазового перехода плато–плато в 2D-структурах на основе теллурида ртути.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:12, 1545–1549

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025