RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1598–1604 (Mi phts7452)

Эта публикация цитируется в 1 статье

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Универсальные свойства материалов с дираковским законом дисперсии низкоэнергетических возбуждений

А. П. Протогеновa, Е. В. Чулковbcd

a Институт прикладной физики РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
c Томский государственный университет, 634050 Тoмск, Россия
d Departamento de Fisica de Materiales, Universidad del Pais Vasco, 20080 San Sebastian/Donostia, Spain

Аннотация: Для изучения вклада краевых состояний в отклик в двумерных топологических диэлектриках рассматривалась $N$-контактная схема. В приближении баллистического транспорта найдено универсальное распределение нелокального сопротивления между контактами. Вычисленные значения отклика совпадают с экспериментально наблюдаемыми значениями. Мы изучали также спектральные свойства поверхностных электронных состояний в вейлевских полуметаллах. Для плотности поверхностных состояний получен точный ответ. Универсальное поведение рассмотренных характеристик является отличительным признаком рассмотренных дираковских материалов, которые могут быть использованы в практических приложениях.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:12, 1550–1556

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025