О роли отрицательных эффективных масс в формировании проводимости полупроводниковых сверхрешеток

Исследуются условия формирования статической и высокочастотной отрицательных проводимостей полупроводниковых сверхрешеток с различной долей области отрицательных эффективных масс в мини-зоне. Показано, что уменьшение доли отрицательной массы ведет к расширению областей отрицательной как дифференциальной, так и абсолютной проводимости сверхрешетки и появлению дополнительных областей неустойчивости гармонического поля. В результате развития статической неустойчивости в сверхрешетке, помещенной в разомкнутую по статическому току внешнюю цепь, возможна генерация как целочисленно, так и дробно квантованных статических полей.