И. В. Самарцев, В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, Д. А. Колпаков, С. М. Некоркин, “Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12,страницы 1619

Эта публикация цитируется в 1 статье

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами

И. В. Самарцев^a, В. Я. Алешкин^b, Н. В. Дикарева^a, А. А. Дубинов^bc, Б. Н. Звонков^a, Д. А. Колпаков^a, С. М. Некоркин^a

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН, 603087 Нижний Новгород, Россия
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Проведена оптимизация лазерных структур InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами с целью сужения диаграммы направленности излучения. В созданных лазерах расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной $p$–$n$-переходу, уменьшена до 28$^\circ$.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015