RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1623–1629 (Mi phts7456)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Механизмы безызлучательной рекомбинации экситонов в полумагнитных квантовых точках

А. В. Черненко

Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Рассмотрены механизмы безызлучательной рекомбинации экситонов в нейтральных и заряженных квантовых точках на основе полумагнитных полупроводников II–VI. Показано, что кроме диполь-дипольного и прямого обменного механизмов существует еще один механизм, который можно назвать косвенным обменным, связанный с sp-d смешиванием. Последовательно выводятся правила отбора для безызлучательной рекомбинации посредством обменных механизмов. Рассмотрена зависимость эффективности всех механизмов рекомбинации от размеров квантовых точек. Объясняется наблюдаемое в многочисленных экспериментах увеличение интенсивности внутрицентровой фотолюминесценции с уменьшением размеров точек и нанокристаллов. Обсуждаются способы экспериментального определения вклада разных механизмов в безызлучательную рекомбинацию.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:12, 1575–1581

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025