Н. С. Волкова, А. П. Горшков, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12,страницы 1640

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs

Н. С. Волкова^ab, А. П. Горшков^c, А. В. Здоровейщев^a, Л. А. Истомин^b, С. Б. Левичев^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-исследовательский институт химии при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследованы закономерности влияния дефектообразования при нанесении кобальтового контакта на оптоэлектронные характеристики структур с квантовыми точками InAs/GaAs и квантовыми ямами In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs. Из анализа температурных зависимостей фоточувствительности структур с квантовыми точками InAs/GaAs определены значения результирующего рекомбинационного времени жизни фотовозбужденных носителей в квантовых точках при различных условиях нанесения Co и параметрах структур.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015