RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1649–1653 (Mi phts7461)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs

А. В. Здоровейщевa, М. В. Дорохинa, П. Б. Деминаa, А. В. Кудринb, О. В. Вихроваa, М. В. Ведьb, Ю. А. Даниловb, И. В. Ерофееваa, Р. Н. Крюковb, Д. Е. Николичевb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, физический факультет, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Показана возможность создания в спиновом светоизлучающем диоде InGaAs/GaAs ферромагнитного инжектора на основе сплава CoPt (с составом, близким к эквиатомному), имеющего ярко выраженную перпендикулярную анизотропию намагниченности. Проведено комплексное исследование физических свойств экспериментальных образцов спиновых светоизлучающих диодов. Получена циркулярно-поляризованная электролюминесценция сформированных диодов в нулевом магнитном поле за счет остаточной намагниченности слоев CoPt.

Поступила в редакцию: 15.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:12, 1601–1604

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025