Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12,страницы 1654

Эта публикация цитируется в 6 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур

Д. В. Козлов^ab, В. В. Румянцев^ab, С. В. Морозов^ab, А. М. Кадыков^ac, В. С. Варавин^d, Н. Н. Михайлов^de, С. А. Дворецкий^de, В. И. Гавриленко^ab, F. Teppe^c

^a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^c Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Universite Montpellier II, Montpellier, France
^d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
^e Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Измерены спектры фотопроводимости (ФП) твердых растворов CdHgTe (КРТ) с долей Cd 17 и 19%. Предложена простая модель расчета состояний двухзарядных акцепторов в твердых растворах КРТ, позволяющая удовлетворительно описать наблюдаемые спектры фотопроводимости. Обнаруженные линии в спектрах фотопроводимости узкозонных КРТ структур связаны с переходами между состояниями как заряженного, так и нейтрального акцепторного центра.

Поступила в редакцию: 29.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015