RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1660–1664 (Mi phts7463)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях

В. В. Платоновab, Ю. Б. Кудасовab, И. В. Макаровab, Д. А. Масловab, О. М. Сурдинab, М. С. Жолудевcd, А. В. Иконниковcd, В. И. Гавриленкоcd, Н. Н. Михайловef, С. А. Дворецкийef

a Саровский физико-технический институт НИЯУ МИФИ, 607189 Саров, Россия
b Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607189 Саров, Россия
c Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
d Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
e Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
f Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Исследовано магнитопоглощение в сильных магнитных полях до 40 Тл при $T>$ 77 K в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами ($d_{\mathrm{QW}}\approx$ 8 нм). В спектрах обнаружено до двух линий, связанных как с внутризонным переходом с нижнего уровня Ландау зоны проводимости, так и с межзонным переходом. Показано, что с ростом температуры зонная структура в таких системах изменяется с инвертированной на нормальную.

Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49, 1611–1615

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025