Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл

Выполнены исследования циклотронного резонанса электронов в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами различной ширины в импульсных магнитных полях до 45 Тл. Полученные экспериментальные значения циклотронных энергий находятся в удовлетворительном согласии с результатами теоретических расчeтов, выполненных с использованием 8-зонного $\mathbf{kp}$ гамильтониана. При изменении концентрации электронов за счeт эффекта отрицательной остаточной фотопроводимости обнаружен сдвиг линии циклотронного резонанса, отвечающей переходу с нижнего уровня Ландау в область низких магнитных полей. Показано, что наблюдаемый сдвиг линий ЦР связан с конечной шириной плотности состояний на уровнях Ландау.