Об использовании методов позитронной аннигиляционной спектроскопии к изучению радиационно-стимулированных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

Исследованы необлученные и $\gamma$-облученные (средняя энергия $E$ = 1.25 МэВ, доза $\Phi$ = 2.41 МГр) халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) As$_2$S$_3$ и Ge$_{15.8}$As$_{21}$S$_{63.2}$ с помощью измерений временного распределения аннигиляционных фотонов (ВРАФ) и доплеровского уширения аннигиляционной линии с энергией 0.511 МэВ (ДУАЛ). Применялись два источника позитронов $^{22}$Na, имеющих активности 0.6 и 2.0 МБк и толщины каптоновой пленки 8.0 и 25.0 мкм. Показано, что в данных типах ХСП обнаруженные радиационно-индуцированные изменения параметров ВРАФ находятся в пределах экспериментальной погрешности измерений. Метод ДУАЛ оказался более эффективным и точным для изучения радиационно- стимулированных процессов в ХСП.