RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 44–48 (Mi phts7481)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния

А. В. Ершов, Д. А. Павлов, Д. А. Грачев, А. И. Бобров, И. А. Карабанова, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного среза исследованы структурно-морфологические свойства нанопериодических структур, полученных поочередным испарением в вакууме SiO и ZrO$_2$ с последующим отжигом при температурах 500–1100$^\circ$C. До 700$^\circ$C включительно слои были аморфными. При 900 и 1000$^\circ$C в слоях ZrO$_2$ образовывались нанокристаллы, разделенные двойниковыми границами либо аморфными областями. Формирование нанокристаллов кремния в слоях SiO$_x$ происходит после отжигов при 1000 и 1100$^\circ$C. При 1100$^\circ$C на местах слоев ZrO$_2$ формируются сферические нанокристаллы типа Si$_x$Zr$_y$O$_z$ с диаметрами, превышающими толщину исходных слоев, вследствие реакции между SiO$_x$ и ZrO$_2$. Структурная эволюция при отжигах согласуется с рассмотренным ранее поведением оптических и люминесцентных свойств системы.

Поступила в редакцию: 12.03.2013
Принята в печать: 26.03.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 42–45

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025