RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 77–80 (Mi phts7487)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние олова на процессы формирования нанокристаллов кремния в тонких пленках аморфной матрицы SiO$_x$

В. В. Войтовичa, Р. Н. Руденкоb, А. Г. Колосюкa, Н. Н. Краськоa, В. О. Юхимчукc, М. В. Войтовичc, C. C. Пономаревc, А. Н. Крайчинскийa, В. Ю. Поварчукa, В. А. Макараb

a Институт физики Национальной академии наук Украины, 03650 Киев, Украина
b Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, 03680 Киев, Украина
c Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03650 Киев, Украина

Аннотация: Исследовано влияние примеси олова на процессы формирования кристаллов кремния наноразмеров в тонких пленках аморфной оксидно-кремниевой матрицы ($a$-SiO$_x$, $x\approx$ 1.15). Установлено, что примесь олова ускоряет процесс кристаллизации аморфного кремния. После температурной обработки в атмосфере аргона кристаллиты кремния в оксидно-кремниевой матрице с оловом ($a$-SiO$_x$Sn) имеют меньшие размеры (6–9 нм) по сравнению с крсталлитами в $a$-SiO$_x$ ($\ge$ 10 нм). Показано, что в $a$-SiO$_x$Sn объемная доля кристаллической фазы после отжига при температурах 800–1100$^\circ$C возрастает от 20 до 80%. В то же время в образцах без олова кристаллическая фаза кремния появляется только после отжига при температурах 1000 и 1100$^\circ$C, а объемная доля кристаллической фазы составляет 45 и 65% соответственно.

Поступила в редакцию: 16.10.2012
Принята в печать: 20.02.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:1, 73–76

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025