RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 114–119 (Mi phts7494)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800–808 нм в импульсном режиме

В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования выходных параметров мощных непрерывных лазерных диодов, работающих в импульсном режиме, и результаты численного моделирования полного кпд лазерных диодов с длиной резонатора 3 и 4 мм в широком диапазоне токов накачки. Изучены спектральные параметры мощных ЛД при различной частоте следования импульсов. Обсуждаются возможные причины ограничения выходной мощности в импульсном режиме работы.

Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013


 Англоязычная версия: DOI: 10.1134/S1063782614010060

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025