Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазерные гетероструктуры AlGaAs/GaAs с различной геометрией активной области: с расширенным асимметричным и узким симметричным волноводами, различной глубиной квантовых ям. Из полученных образцов были изготовлены одиночные лазерные элементы, линейки и решетки лазерных диодов, и исследованы их выходные характеристики. Показано, что геометрия структуры с узким волноводом является более предпочтительной для линеек лазерных диодов ($\lambda$ = 808 нм). Повышение барьера для носителей также благоприятно сказывается на выходных параметрах линеек в случае гетероструктур с узким симметричным волноводом, наклон ВтАХ для этих структур вырос с 0.9 Вт/А до 1.05 Вт/А. Решетка лазерных диодов 5 $\times$ 5 мм, собранная на основе лучшей гетероструктуры, продемонстрировала в квазинепрерывном режиме работы выходную мощность свыше 1500 Вт при токе накачки 150 А.