Образование электронных ловушек в $n$-InP при облучении $\gamma$-квантами

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (НЕСГУ) определен энергетический спектр и проанализированы дозовые зависимости концентрации глубоких уровней (ГУ), возникающих в InP (${n\approx10^{15}\,\text{см}^{-3}}$) в результате облучения $\gamma$-квантами $^{60}$Со при 40$^{\circ}$С.
Наблюдалось образование по меньшей мере шести электронных ловушек E1$-$E6. Установлено, что ловушки E2 и E6 (энергии активации термоэмиссии 0.19 и 0.7 эВ) вводятся сублинейно с потоком облучения. Показано, что образование дефекта, обусловливающего уровень E6, характеризуется наибольшей начальной скоростью введения (${7\cdot 10^{-3}\,\text{см}^{-1}}$) и не приводит к удалению основных носителей заряда (ОНЗ). Определено, что скорость удаления ОНЗ в $n$-InP при облучении $\gamma$-квантами $^{60}$Со на порядок меньше, чем в GaAs, и близка к соответствующим значениям для Si.