Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного ионами Xe

Cтруктуры с ионно-легированными алюминием $p^+$–$n$-переходами, сформированными в CVD эпитаксиальных слоях 4H-SiC толщиной 26 мкм с концентрацией нескомпенсированных доноров $N_d$–$N_a$ = (1–3) $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$, облучались ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсами 4 $\cdot$ 10$^9$–1 $\cdot$ 10$^{11}$ см$^{-2}$ при температурах 25 и 500$^\circ$C. Затем исходные и облученные структуры термически отжигались при температуре 500$^\circ$C в течение 30 мин. Исходные, облученные и отожженные образцы исследовались методами катодолюминесценции, в том числе локальной катодолюминесценции на сколе структур, а также электрическими методиками. При облучении был выявлен эффект проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Хе. Облучение структур при 500$^\circ$C сопровождалось “динамическим отжигом” некоторых низкотемпературных радиационных дефектов, что увеличивает радиационный ресурс 4H-SiC приборов, работающих при повышенных температурах.