Массоперенос в приповерхностных слоях GaAs под воздействием излучения миллиметровых волн малой мощности

Проведено исследование процессов массопереноса по результатам химического анализа приповерхностных слоев арсенида галлия после облучения поверхности GaAs электромагнитными волнами малой мощности 13–25 мВт при частоте 75 ГГц. Показано, что под воздействием излучения изменяются электромеханические напряжения на поверхности GaAs и возникают процессы релаксации с участием массопереноса заряженных частиц. В результате облучения выпадают островки на основе раствора (Ga + As) или соединения GaAs и изменяется изгиб поверхности базисного GaAs. Массоперенос при этом определяется дрейфом заряженных частиц под воздействием электрического напряжения и скоростью поверхностной самодиффузии под действием механических напряжений.