Э. А. Сенокосов, В. И. Чукита, И. Н. Один, М. В. Чукичев, “Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2,страницы 203

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe

Э. А. Сенокосов^a, В. И. Чукита^a, И. Н. Один^b, М. В. Чукичев^c

^a Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, физико-математический факультет, Тирасполь MD-3300, Приднестровская Молдавская республика
^b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет, 119991 Москва, Россия
^c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Исследованы особенности перестройки с ростом уровня возбуждения в спектрах катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe. Показано, что с ростом плотности тока возбуждения происходит следующая перестройка в спектрах при 78 K: линия А-экситона – полосы невырожденной электронно-дырочной плазмы и полосы вырожденной электронно-дырочной плазмы.

Поступила в редакцию: 18.04.2013
Принята в печать: 23.05.2013