Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$

Исследовано влияние дополнительной имплантации примесных ионов С$^+$, О$^+$, В$^+$, Р$^+$ и Ge$^+$ с отжигом при 800$^\circ$С на поведение линии дислокационной фотолюминесценции D1, полученной в образцах кремния путем имплантации ионов Si$^+$ в условиях стабилизации температуры с последующим отжигом в окислительной хлорсодержащей атмосфере. Установлено, что интенсивность линии D1 существенно зависит от типа внедряемых атомов и дозы имплантации. Повышение интенсивности линии D1 наблюдается при имплантации кислорода и бора, тогда как в остальных случаях фотолюминесценция ослабляется. Обсуждаются механизмы такого поведения, в частности роль кислорода и его взаимодействия с имплантируемыми примесями.