Диэлектрические свойства монокристаллов MnGa$_2$S$_4$ в переменном электрическом поле

Представлены результаты исследований частотных и температурных зависимостей диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь монокристаллов MnGa$_2$S$_4$ в переменном электрическом поле. Определены экспериментальные их значения. Возрастание диэлектрической проницаемости связано с увеличением концентрации дефектов с ростом температуры. При исследуемых температурах в области частот 435–500 кГц для $\varepsilon$ и $\operatorname{tg}\delta$ наблюдается резонансный пик. Установлено, что в частотном интервале 25–2 $\cdot$ 10$^5$ Гц тангенс угла диэлектрических потерь уменьшается обратно пропорционально с частотой $(\sim 1/\omega)$.