Влияние фотооблучения и температуры на электрические и оптические свойства пленок In$_2$O$_3$, полученных автоволновым окислением

Пленки оксида индия были синтезированы автоволновой реакцией окисления. Показано, что при фотооблучении происходит резкое уменьшение электрического сопротивления пленок, максимальное изменение которого составило 52% при комнатной температуре. Определены две скорости релаксации сопротивления пленок после прекращения облучения: 15 Ом/с первые 30 с и 7 Ом/с в остальное время. Результаты ИК спектроскопии пленок оксида индия показали, что фотооблучение приводит к уменьшению на 2.4% коэффициента пропускания на длине волны 6.3 мкм. После прекращения облучения наблюдалось постепенное увеличение коэффициента пропускания со скоростью 0.006%/с. Сделано предположение, что фотовосстановление является доминирующим механизмом, ответственным за изменения электрических и оптических свойств In$_2$O$_3$-пленок.