Фоточувствительность структур с квантовыми ямами при нормальном падении излучения

Представлены результаты исследований фоточувствительности при нормальном падении излучения структур с квантовыми ямами, выращенных методами молекулярно-лучевой и газофазной эпитаксии, но имеющих номинально одинаковую конструкцию. Установлено, что образцы, выращенные газофазным методом, имеют в этом случае более высокую чувствительность. Образцы же, выращенные методом молекулярной эпитаксии, более чувствительны к излучению, имеющему составляющую вектора электрического поля, перпендикулярную слоям структур с квантовыми ямами. На основе полученных результатов сделано предположение, что селективность фоточувствительности по отношению к поляризации излучения в образцах, выращенных газофазным методом, заметно подавляется. Среди наиболее вероятных причин указанного эффекта рассматривается возникновение на границах барьер-яма встроенного электрического поля, связанного с проникновением в барьеры примеси в процессе выращивания структур с квантовыми ямами.