Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура $n$-TiN/$n$-Si

Изготовлены гетероструктуры $n$-TiN/$n$-Si методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики гетероструктур при различных температурах. Исследованы температурная зависимость высоты потенциального барьера и последовательное сопротивление гетероперехода. Построена энергетическая диаграмма исследуемых гетеропереходов. Оценена концентрация поверхностных состояний гетероперехода, которая составляет 2.67 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$. Установлено, что доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереходы $n$-TiN/$n$-Si при прямых и обратных смещениях хорошо описываются в рамках туннельной и эмиссионной моделей.