А. В. Соломонов, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, И. А. Ламкин, С. Ю. Курин, А. А. Антипов, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров, “Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2,страницы 259

Эта публикация цитируется в 17 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии

А. В. Соломонов^a, С. А. Тарасов^a, Е. А. Менькович^a, И. А. Ламкин^a, С. Ю. Курин^b, А. А. Антипов^b, И. С. Бараш^b, А. Д. Роенков^b, Х. Хелава^b, Ю. Н. Макаров^b

^a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
^b ГК "Нитридные кристаллы", 194156 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлены результаты работы по созданию и исследованию УФ-светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, полученных на подложках Al$_2$O$_3$ (0001) хлоридно-гидридной эпитаксией. Максимум спектра электролюминесценции находился в диапазоне длин волн 360–365 нм, а его полуширина составила 10–13 нм. При рабочем токе 20 мА оптическая мощность и кпд УФСД имели значения 1.14 мВт и 1.46% соответственно.

Поступила в редакцию: 29.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013