RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 265–271 (Mi phts7523)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Синтез тонких пленок рутила с проводимостью $p$-типа

В. М. Иевлевab, С. Б. Кущевab, О. В. Овчинниковa, М. П. Сумецa, А. Н. Латышевa, М. Н. Безрядинa, Л. Ю. Леоноваa, С. В. Канныкинab, А. М. Возгорьковa, М. С. Смирновa

a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Воронежский государственный технический университет, 394026 Воронеж, Россия

Аннотация: Исследованы структура, электрофизические и оптические свойства гетероструктур, образующихся в процессах термической обработки и импульсной фотонной обработки в атмосфере кислорода, воздуха и азота пленок Ti на поверхности монокристаллических пластин кремния. Показано, что на воздухе при термической обработке формируется гетероструктура TiO$_2$/Ti$_5$Si$_3$/Si-$p$, а при фотонной обработке – TiO$_2$/TiSi$_2$/Si-$p$. Установлено, что термическая обработка в кислороде пленок Ti, легированных Ni, приводит к формированию пленок рутила с ярко выраженной проводимостью $n$-типа. Термический отжиг пленок Ti на воздухе с последующей фотонной обработкой в среде азота приводит к формированию пленок рутила с проводимостью $p$-типа.

Поступила в редакцию: 28.02.2013
Принята в печать: 26.03.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:2, 251–256

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025