RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 272–277 (Mi phts7524)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлюоресцентного анализа

Г. А. Бордовскийa, А. В. Марченкоa, А. В. Николаеваa, П. П. Серегинa, Е. И. Теруковbc

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Количественный состав стеклообразных сплавов As$_x$(Ge$_y$Se$_{1-y}$)$_{1-x}$ определялся путем измерения рентгенофлюоресцентного спектра эталонного сплава Ge$_{0.2}$As$_{0.4}$Se$_{0.4}$, из рентгенофлюоресцентных спектров рассчитывались атомные доли мышьяка, германия и селена, а затем строились зависимости $x_{\mathrm{RFA}}=f(x)$ и $y_{\mathrm{RGA}}= f(y)$, которые позволяют определить состав стекол с точностью $\pm$ 0.0005 для $x$ и $y$. Эта методика оказывается эффективной для определения концентрации примеси олова в кристаллических твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se. Однако для стеклообразных сплавов типа Te$_x$(As$_y$Se$_{1-y}$)$_{1-x}$ оказывается невозможным определить содержание теллура в связи с тем, что компоненты сплавов имеют существенно различные рентгеноспектральные характеристики.

Поступила в редакцию: 20.03.2013
Принята в печать: 01.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:2, 257–262

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025