RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 278–282 (Mi phts7525)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Сравнительные фотоэлектрические характеристики наноструктурированных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se, полученных совместным и послойным осаждением PbSe и SnSe

Х. Н. Мухамедзянов, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Проведен сравнительный анализ фотоэлектрических характеристик пленок твердого раствора Pb$_{0.975}$Sn$_{0.025}$Se, полученного совместным гидрохимическим осаждением PbSe и SnSe, и твердого раствора Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se, полученного послойным гидрохимическим осаждением индивидуальных селенидов металлов (SnSe–PbSe–SnSe–PbSe) с их последующей термической обработкой на воздухе при 523–700 K. Показано, что пленки, синтезированные методом послойного осаждения, по своим фотоэлектрическим характеристикам имеют ряд преимуществ перед пленками, полученными соосаждением.

Поступила в редакцию: 24.04.2013
Принята в печать: 04.06.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:2, 263–267

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025