RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 289–296 (Mi phts7527)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Особенности темновой проводимости селенида цинка

В. Я. Дегода, Г. П. Подуст

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, 03680 Киев, Украина

Аннотация: Экспериментально полученные вольт-амперные зависимости темновой проводимости монокристаллов селенида цинка имеют нелинейный характер. Среди возможных причин такого поведения вольт-амперных характеристик были рассмотрены контактно-инжекционные явления, эффект Пула–Френкеля. В результате исследования было установлено: 1) контакт монокристаллического $n$-ZnSe с металлическим In является омическим; 2) в области слабых полей вольт-амперная характеристика подчиняется закону Ома; 3) в области сильных полей темновая проводимость исследованных образцов определяется эффектом Пула–Френкеля. Также было выполнено дополнение теории Пула–Френкеля для разных потенциалов взаимодействия локального центра с носителем заряда.

Поступила в редакцию: 21.03.2013
Принята в печать: 01.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:3, 273–280

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025