RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 302–307 (Mi phts7529)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Электронные свойства полупроводников

Влияние вакансионной катионодефектности на электрические и фотоэлектрические свойства твердого раствора Cu$_{1-x}$Zn$_x$InS$_2$

А. В. Новосадa, В. В. Божкоa, Г. Е. Давидюкa, О. В. Парасюкa, О. Р. Герасимикa, Н. Вайнорюсb, А. Сакавичюсb, В. Янонисb, В. Кажукаускасb

a Восточноевропейский национальный университет имени Леси Украинки, 43025 Луцк, Украина
b Вильнюсский университет (Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных наук), 10222 Вильнюс, Литва

Аннотация: Развита технология выращивания монокристаллов твердых растворов Cu$_{1-x}$Zn$_x$InS$_2$ ($x$ = 0 – 12) $n$-типа проводимости. Методом рентгеноструктурного анализа изучен механизм образования твердого раствора. Показано, что монокристаллы имеют структуру халькопирита, причем параметры элементарной ячейки зависят от состава раствора. Исследованы температурная зависимость электропроводимости в интервале температур $T$ = 27–300 K и спектральное распределение фотопроводимости при $T\approx$ 30 K. В монокристаллах CuInS$_2$–ZnIn$_2$S$_4$ с содержанием $\sim$ 8 и $\sim$ 12 мол% ZnIn$_2$S$_4$ обнаружена индуцированная фотопроводимость и исследованы термостимулированные токи.

Поступила в редакцию: 28.03.2013
Принята в печать: 15.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:3, 286–291

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025