В. С. Вариченко, Е. Д. Воробьев, А. М. Зайцев, В. А. Лаптев, М. И. Самойлович, В. А. Скуратов, В. Ф. Стельмах, “Дефектообразование в синтетическом алмазе при высокоэнергетичной ионной имплантации”, Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 6,страницы 1095

Дефектообразование в синтетическом алмазе при высокоэнергетичной ионной имплантации

В. С. Вариченко, Е. Д. Воробьев, А. М. Зайцев, В. А. Лаптев, М. И. Самойлович, В. А. Скуратов, В. Ф. Стельмах

Аннотация: Методами катодо- и фотолюминесценции исследованы центры, обусловленные примесными и собственными дефектами, введенными в синтетический алмаз имплантацией ионов углерода с энергией 82 МэВ. Наблюдаемое уширение спектральных линий, ослабление влияния температуры на спектральные характеристики центров, особенности поведения этих центров при отжиге объясняются, во-первых, наличием у синтетического алмаза в отличие от природного метастабильной дефектной структуры и, во-вторых, уменьшением электрон-фононного взаимодействия в кристаллах, облученных ионами больших энергий.