RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 308–314 (Mi phts7530)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях

А. А. Пручкинаa, Н. С. Николаевa, В. С. Кривобокab, В. С. Багаевa, Е. Е. Онищенкоa, Ю. В. Клевковa, С. А. Колосовa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
b Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия

Аннотация: Продемонстрировано влияние отжига в жидком Cd при температуре 600$^\circ$C на спектры фотолюминесценции поликристаллического CdTe, полученного в условиях быстрой кристаллизации. Показано, что перераспределение точечных дефектов в результате отжига полностью подавляет излучение нестандартных акцепторов с энергиями активации $\sim$ 48, $\sim$ 98 и $\sim$ 120 мэВ, присутствовавшeе в спектрах люминесценции исходных кристаллов, и радикально изменяет структуру излучения в районе 1.2–1.35 эВ, которое связано с протяженными дефектами, вызванными двойникованием. В спектрах фотолюминесценции отожженных поликристаллов доминирует излучение экситон-примесных комплексов с участием водородоподобных доноров и акцептора CuCd. Установлена корреляция между концентрацией протяженных дефектов и интенсивностью длинноволнового излучения в районе 0.8–1.2 эВ.

Поступила в редакцию: 25.05.2013
Принята в печать: 26.05.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:3, 292–298

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025