Электрон-фононное взаимодействие в короткопериодических сверхрешетках (GaAs)$_m$(AlAs)$_n$ (001)

На основе метода функционала электронной плотности определены деформационные потенциалы рассеяния электронов на коротковолновых фононах для междолинных переходов в зоне проводимости короткопериодических сверхрешеток (GaAs)$_m$(AlAs)$_n$ (001) ($m$, $n$ = 1, 2, 3). Проведен анализ зависимости электронных, фононных состояний и деформационных потенциалов от толщины слоев сверхрешеток. Результаты ab-initio расчетов хорошо согласуются с данными эмпирического расчета объединенных по фононам деформационных потенциалов, но отличаются от соответствующих потенциалов для парциальных каналов рассеяния вследствие приближений феноменологической модели сил связи.