А. Д. Буравлев, Н. В. Сибирев, Е. П. Гильштейн, П. Н. Брунков, И. С. Мухин, M. Tchernycheva, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, “Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3,страницы 358

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов

А. Д. Буравлев^ab, Н. В. Сибирев^abc, Е. П. Гильштейн^ac, П. Н. Брунков^ac, И. С. Мухин^dc, M. Tchernycheva^e, А. И. Хребтов^c, Ю. Б. Самсоненко^a, Г. Э. Цырлин^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
^d Институт аналитического приборостроения РАН, 190103 Санкт-Петербург, Россия
^e Institut d’Electronique Fondamentale UMR CNRS 8622, Université Paris Sud 11, 91405 Orsay Cedex, France

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов. Использование электронно-лучевой литографии позволило создать электрические контакты к одиночным нитевидным нанокристаллам. Изучено влияние температуры отжига на свойства контактов. Определена оптимальная температура отжига, равная 160$^\circ$C. Обнаружено, что повышение температуры отжига ведет к деградации структур. На основании исследования вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных наноструктур был определен ряд их электрофизических параметров, таких как удельное сопротивление и подвижность носителей заряда.

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013