RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 375–383 (Mi phts7541)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Применение тонких пленок из наночастиц кремния для увеличения эффективности солнечных элементов

С. Г. Дорофеевa, Н. Н. Кононовb, В. М. Звероловлевc, К. В. Зиновьевc, В. Н. Сухановc, Н. М. Сухановc, Б. Г. Грибовc

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет, 119991 Москва, Россия
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
c Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт особо чистых материалов" ОАО "НИИОСЧМ ", 124575 Москва, Зеленоград, Россия

Аннотация: Изучено влияние тонких пленок из наночастиц кремния (nc-Si) на увеличение эффективности преобразования света солнечными элементами из монокристаллического кремния при нанесении таких пленок на их лицевую поверхность. Для формирования тонких пленок использовались нелюминесцирующие наночастицы кремния, имеющие средний диаметр 12 нм с оболочкой из SiO$_x$ (0 $\le x\le$ 2), и наночастицы кремния диаметром 2 нм с органической оболочкой из октадецена, обладающие способностью к фотолюминесценции в красной области спектра. Обнаружено, что нанесение пленок увеличивает эффективность преобразования солнечных элементов на 12% относительно первоначальной величины. Из анализа вольт-амперных характеристик и спектров отражения солнечных элементов сделан вывод о том, что увеличение эффективности преобразования определяется пассивацией наночастицами дефектов на лицевой поверхности солнечного элемента и уменьшением отражения света от нее.

Поступила в редакцию: 18.04.2013
Принята в печать: 23.05.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:3, 360–368

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025