Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAsP/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены 2 типа лазерных гетероструктур – без компенсации внутренних напряжений, с эмиттерными и волноводными слоями из твердого раствора AlGaAs (тип 1), и лазерные гетероструктуры с компенсацией напряжений, с эмиттерными и волноводными слоями AlGaAsP (тип 2). Изготовлены линейки лазерных диодов шириной 5 мм и коэффициентом заполнения 24%, излучающие на длине волны 850 нм. Исследованы их мощностные характеристики в непрерывном и импульсном режимах генерации. Показано, что линейки лазерных диодов на основе структуры типа 2 обладают лучшей линейностью ватт-амперных характеристик в непрерывном и импульсном режимах генерации по сравнению с линейками лазерных диодов на основе структуры типа 1.