RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 412–416 (Mi phts7548)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Получение двухслойных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и SnO$_x$, исследование их электрофизических и газочувствительных свойств

В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Росликова, К. Е. Ивлев, Е. В. Князев, Н. А. Давлеткильдеев

Омский научный центр СО РАН, 644040 Омск, Россия

Аннотация: Цель данной работы – создание и исследование многослойных сенсорных структур “композит на изоляторе” на основе пористого кремния и нестехиометрического оксида олова. Были получены двухслойные структуры: “макропористый кремний-мезопористый кремний” на монокристаллическом кремнии с резкими геометрическими границами. Созданы тестовые структуры “композит-на-изоляторе”, где изолятором являются окисел на стенках макропористого кремния и захороненный слой окисленного мезопористого кремния, а чувствительным слоем – нестехиометрический оксид олова, осажденный на развитую поверхность окисленного макропористого кремния из парогазовой фазы (CVD-метод). Газовая чувствительность исследовалась при экспозиции в NO$_2$ и дегазации на воздухе при комнатной температуре. Чувствительность композитных структур por-Si/SnO$_x$ превышает чувствительность пленочных образцов оксида олова.

Поступила в редакцию: 14.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:3, 397–401

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025