RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 428–431 (Mi phts7551)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Легирование кремния селеном методом диффузии из газовой фазы

Ю. А. Астров, В. Б. Шуман, Л. М. Порцель, А. Н. Лодыгин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучался результат легирования селеном монокристаллов кремния при введении примеси методом диффузии из газовой фазы. Легирование проводилось в отпаянных кварцевых ампулах при температуре 1240$^\circ$C в течение 240 ч. Исследована зависимость концентрации вводимых глубоких донорных центров различного типа от давления пара диффузанта $p_{\mathrm{Se}}$. Найдено, что при относительно малых $p_{\mathrm{Se}}$ (0.02–0.06 атм) можно получать образцы с концентрацией атомарных центров Se, превышающей 10$^{15}$ см$^{-3}$. При этом содержание двухатомных комплексов Se$_2$ будет меньше на порядок и более величины. Полученные результаты могут представлять интерес в задачах исследования нелинейных оптических явлений с участием глубоких донорных центров в кремнии.

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Принята в печать: 19.08.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:3, 413–416

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025