RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 442–447 (Mi phts7554)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные свойства полупроводников

Поляризация, вызванная объемными зарядами, и ионная проводимость в кристаллах TlInSe$_2$

Р. М. Сардарлыa, О. А. Самедовa, Н. А. Алиеваa, А. П. Абдуллаевa, Э. К. Гусейновb, И. С. Гасановb, Ф. Т. Салмановa

a Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, AZ 1143 Баку, Азербайджан
b Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Исследованы кристаллы TlInSe$_2$ в постоянном и переменном электрическом поле в области температур 100–400 K. Обнаружено уменьшение электропроводности $\sigma$ со временем в постоянном поле. В диапазоне частот 10–10$^6$ Гц измерены спектры комплексного импеданса $Z^*(f)$. Анализ диаграмм в комплексной плоскости $(Z''-Z')$ проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано, что в исследованном интервале температур и частот электрические свойства кристаллов TlInSe$_2$ определяются прыжковой проводимостью и накоплением носителей заряда вблизи блокирующих платиновых электродов.

Поступила в редакцию: 26.06.2013
Принята в печать: 05.07.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 427–431

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025