Аннотация:
Исследованы кристаллы TlInSe$_2$ в постоянном и переменном электрическом поле в области температур 100–400 K. Обнаружено уменьшение электропроводности $\sigma$ со временем в постоянном поле. В диапазоне частот 10–10$^6$ Гц измерены спектры комплексного импеданса $Z^*(f)$. Анализ диаграмм в комплексной плоскости $(Z''-Z')$ проведен с использованием метода эквивалентных схем замещения. Показано, что в исследованном интервале температур и частот электрические свойства кристаллов TlInSe$_2$ определяются прыжковой проводимостью и накоплением носителей заряда вблизи блокирующих платиновых электродов.
Поступила в редакцию: 26.06.2013 Принята в печать: 05.07.2013