RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 467–470 (Mi phts7559)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$

К. А. Дроздов, И. В. Крылов, Р. Б. Васильев, А. А. Ирхина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия

Аннотация: Показано, что легирование оловом коллоидных нанокристаллов оксида индия приводит к смещению края поглощения в коротковолновую область видимой части спектра и появлению значительного поглощения в инфракрасной области спектра. Вид полученных спектральных зависимостей поглощения и пропускания в инфракрасной области характерен для локального поверхностного плазмонного резонанса. Согласно оценкам, концентрация свободных носителей заряда в In$_2$O$_3$(Sn) достигает 10$^{19}$ см$^{-3}$. Температурные зависимости фотопроводимости в диапазоне 77–300 K для наноструктурированных пленок на основе нанокристаллов In$_2$O$_3$(Sn) указывают на прыжковый механизм проводимости. Обсуждаются механизмы, ответственные за появление эффекта.

Поступила в редакцию: 18.06.2013
Принята в печать: 05.07.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 451–454

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025