Аннотация:
Показано, что легирование оловом коллоидных нанокристаллов оксида индия приводит к смещению края поглощения в коротковолновую область видимой части спектра и появлению значительного поглощения в инфракрасной области спектра. Вид полученных спектральных зависимостей поглощения и пропускания в инфракрасной области характерен для локального поверхностного плазмонного резонанса. Согласно оценкам, концентрация свободных носителей заряда в In$_2$O$_3$(Sn) достигает 10$^{19}$ см$^{-3}$. Температурные зависимости фотопроводимости в диапазоне 77–300 K для наноструктурированных пленок на основе нанокристаллов In$_2$O$_3$(Sn) указывают на прыжковый механизм проводимости. Обсуждаются механизмы, ответственные за появление эффекта.
Поступила в редакцию: 18.06.2013 Принята в печать: 05.07.2013