RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 492–497 (Mi phts7564)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Морфологическая характеристика межзеренных границ в мультикристаллическом кремнии

С. М. Пещерова, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, И. А. Елисеев, Р. В. Пресняков

Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, 664033 Иркутск, Россия

Аннотация: Проведены исследования структуры мультикристаллического кремния и распределения времени жизни неравновесных носителей заряда по поверхности и в объеме образцов. Выявлены закономерные зависимости электрофизических характеристик от строения зерен и межзеренных границ. Изучены межзеренные границы в мультикремнии, выращенном методом Бриджмена–Стокбаргера из расплава металлургического рафинированного кремния. Полученные с помощью металлографии и микроскопии описания границ зерен могут учитываться при подборе условий кристаллизации, при которых возможно получение мультикремния с совершенной структурой как материала для солнечных преобразователей.

Поступила в редакцию: 28.03.2013
Принята в печать: 20.09.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 476–480

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025