RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 4, страницы 498–503 (Mi phts7565)

Физика полупроводниковых приборов

Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора

А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, О. А. Абдулхаев

Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз, 100084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Приведены типичные данные параметров исследуемых образцов полевых транзисторов с длинным каналом, результаты измерений их функциональных характеристик, а также рассмотрены возможные распределения подвижности носителей заряда по толщине канала. Проведен теоретический анализ вольт-амперных характеристик длинноканальных полевых транзисторов с произвольным профилем легирования и с градиентом подвижности носителей заряда, а также с учетом насыщения скорости носителей заряда.

Поступила в редакцию: 12.11.2012
Принята в печать: 04.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2014, 48:4, 481–486

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025